Гибкие чипы памяти
http://live-technology.bootstrap-buttons.net/105/
Корейский институт науки и технологий (Korea Advanced Institute of Science and Technology, KAIST) разработал технологию, позволяющую создавать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), обладающие способностью к деформации.
Данные на подобных гибких микросхемах могут считываться и записываться в произвольном порядке с приемлемой скоростью.
В будущем микросхемы памяти, изготовленные по новой технологии, могут найти применение в гибких электронных устройствах. О сроках коммерциализации технологии пока, правда, не сообщается.
Чтобы решить справиться с интерференцией между соседними ячейками памяти, специалистам KAIST удалось интегрировать на гибкой пластиковой подложке высокопроизводительный однокристальный кремниевый транзистор и мемристор (пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление, мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности).
Ключевой особенностью элемента данного типа является гистерезис – явление, при котором реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей.
Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это даёт возможность использовать элемент в качестве ячейки памяти.
Recent Comments