Гибкие чипы памяти

http://live-technology.bootstrap-buttons.net/105/

Корейский институт науки и технологий (Korea Advanced Institute of Science and Technology, KAIST) разработал технологию, позволяющую создавать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), обладающие способностью к деформации.

Данные на подобных гибких микросхемах могут считываться и записываться в произвольном порядке с приемлемой скоростью.

В будущем микросхемы памяти, изготовленные по новой технологии, могут найти применение в гибких электронных устройствах. О сроках коммерциализации технологии пока, правда, не сообщается.

Чтобы решить справиться с интерференцией между соседними ячейками памяти, специалистам KAIST удалось интегрировать на гибкой пластиковой подложке высокопроизводительный однокристальный кремниевый транзистор и мемристор (пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление, мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности).

Ключевой особенностью элемента данного типа является гистерезис – явление, при котором реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей.

Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это даёт возможность использовать элемент в качестве ячейки памяти.

Advertisements

Tags: ,

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s

%d bloggers like this: